[发明专利]一种高带宽弯曲不敏感多模光纤

摘要

本发明涉及一种高带宽弯曲不敏感多模光纤，包括芯层和围绕芯层的包层，所述的芯层折射率剖面呈抛物线形，其特征在于所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层、第一外包层和第二外包层，内包层半径为R2，单边径向宽度(R2‑R1)为1～3μm，相对折射率差Δ2为‑0.2％～0.05％；下陷包层半径为R3，单边径向宽度(R3‑R2)为4～8μm，相对折射率差Δ3为‑0.8％～‑0.2％；第一外包层半径为R4，R4小于或等于58μm，相对折射率差Δ4为0.01～0.2％；第二外包层半径R5为60～65μm，相对折射率差Δ5为‑0.1～0.1％。本发明光纤材料组成和结构设计合理，能改善和减小光纤内应力分布，减小光纤剖面的畸变，增强光纤的抗弯曲性能和带宽。

主权项

1.一种高带宽弯曲不敏感多模光纤，包括芯层和围绕芯层的包层，所述的芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.2，芯层的半径R1为23～27μm，最大相对折射率差Δ1为0.9％～1.2％，其特征在于所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层、第一外包层和第二外包层，所述的内包层的半径为R2，单边径向宽度(R2-R1)为1～3μm，相对折射率差Δ2为-0.2％～0.05％；所述的下陷包层的半径为R3，单边径向宽度(R3-R2)为4～8μm，相对折射率差Δ3为-0.8％～-0.2％；所述的第一外包层半径为R4，R4小于或等于58μm，相对折射率差Δ4为0.01～0.2％；第二外包层半径R5为60～65μm，相对折射率差Δ5为-0.1～0.1％；所述的第二外包层为掺有铝、钙、镁、钛、锆、铁、钴、镍、锰、铜、锂、钠、钾、硼掺杂剂中的一种或几种的二氧化硅玻璃层，其中铝的含量1～40ppm，金属元素总含量≤60ppm。/n