[发明专利]一种铟镓砷红外探测器材料制备方法

摘要

本发明公开了一种铟镓砷红外探测器件材料的制备方法，包括：1)在磷化铟供体衬底上外延生长缓冲层；2)在缓冲层上形成铟铝砷牺牲层，在牺牲层上形成InP外延薄层；3)在外延薄层上形成InAlAs牺牲层与InP外延薄层；4)重复步骤3)至得到N个InAlAs牺牲层与InP外延薄层；5)从外延薄层侧进行离子注入，在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，后将最上一层的外延薄层与硅受体衬底键合，并进行退火处理，使顶层薄膜剥离，对剥离部分表面的InAlAs牺牲层进行表面处理；重复本步骤得到N个Si基InP柔性衬底和含牺牲层的InP供体衬底；6)在柔性衬底上进行InGaAs探测器结构外延生长。本发明为衬底可重复利用、柔性衬底可大规模集成、省去减薄工艺的铟镓砷红外探测器件制备方法。

主权项

一种铟镓砷红外探测器件材料制备方法，包括：1)在磷化铟供体衬底上外延生长缓冲层；2)在缓冲层上形成铟铝砷牺牲层，在牺牲层上形成InP外延薄层；3)在外延薄层上形成InAlAs牺牲层与InP外延薄层；4)重复步骤3)至得到N个InAlAs牺牲层与InP外延薄层；5)从最上一层的外延薄层侧进行离子注入，在最表面的InAlAs牺牲层内形成缺陷层，后将所述的处理过的半导体晶片与硅受体衬底正面键合，并对所述的键合结构进行退火处理，使顶层薄膜沿InAlAs牺牲层从InP供体衬底剥离，对剥离部分表面的InAlAs牺牲层进行表面处理形成Si基InP柔性衬底；重复本步骤至得到N个Si基InP柔性衬底和含牺牲层InP供体衬底；6)在InP柔性衬底进行InGaAs探测器结构外延生长。