[发明专利]一种预测功率器件结温的方法及系统有效
| 申请号： | 201710508574.3 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107315877B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 邓二平;赵志斌;陈杰;黄永章 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 102200 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种预测功率器件结温的方法及系统，方法包括：获取被测器件的积分结构函数曲线；根据被测器件的封装形式、封装材料、积分结构函数曲线的起点确定第一芯片层；根据积分结构函数曲线中对应第一芯片层的曲线段的斜率对第一芯片层进行分层，得到各热等效层及对应的热阻值；根据各热等效层及对应的热阻值建立被测器件的芯片层的热等效分层模型，以预测被测器件的结温。本发明对芯片层建立热等效分层模型时，采用的是热等效分层结构，而不是物理性的分层，因此，热等效分层模型可准确表征功率半导体器件中芯片层的热分布特性，该模型能精确预测功率器件的结温，而且建立该热等效分层模型的方法适用于一切功率半导体芯片，便于实施和推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预测 功率 器件 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种预测功率器件结温的方法，其特征在于，所述方法包括：获取被测器件的积分结构函数曲线；根据所述被测器件的封装形式、封装材料、所述积分结构函数曲线的起点确定所述被测器件的第一芯片层；根据所述积分结构函数曲线中对应所述第一芯片层的曲线段的斜率对所述第一芯片层进行分层，得到各热等效层及对应的热阻值；根据各所述热等效层及对应的热阻值建立所述被测器件的所述芯片层的热等效分层模型，以预测所述被测器件的结温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学，未经华北电力大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710508574.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
