[发明专利]一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，包括：1)提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，2)生长牺牲层，并在所述牺牲层上形成外延薄层；3)重复步骤2)至形成多个上述牺牲层与外延薄层；4)将受体衬底和最外一层的外延薄层进行键合，并使用离子注入在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，并将键合结构剥离得到含有受体衬底的柔性基底，剥离键合结构后残留的部分为第一基底；5)去除第一基底表面的牺牲层，并对去除牺牲层后的第一基底重复采用步骤4)的方法逐层剥离外延薄层，得到多个含有外延薄层和受体基底的柔性基底和残余有牺牲层的供体衬底。本发明克服了现有技术制备碲镉汞红外探测器件材料时存在的缺陷。

主权项

一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，包括：1)提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，2)生长牺牲层，并在所述牺牲层上形成外延薄层；3)重复步骤2)至形成多个上述牺牲层与外延薄层；4)将受体衬底和最外一层的外延薄层进行键合，并使用离子注入在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，并将键合结构剥离得到含有受体衬底的柔性基底，剥离键合结构后残留的部分为第一基底；5)去除第一基底表面的牺牲层，并对去除牺牲层后的第一基底采用步骤4)的方法逐层剥离外延薄层，得到多个含有外延薄层和受体基底的柔性基底和残余有牺牲层的供体衬底。