[发明专利]一种探测基板的制作方法、探测基板及X射线探测器有效
申请号: | 201710509175.9 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107331725B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 孙建明;黄睿;吴慧利;李东升;任庆荣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/18;G01T1/24 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种探测基板的制作方法、探测基板及X射线探测器,涉及光电技术领域。通过在衬底上通过构图工艺依次形成栅电极层、栅绝缘层、有源层,通过构图工艺形成源极和漏极,所述源极和所述漏极均部分覆盖所述有源层,所述源极和所述漏极均为金属层与金属氧化物层的复合层,所述金属层靠近所述有源层,依次形成第一钝化层、遮光层以及PIN光电二极管的I型层和P型层,所述I型层覆盖所述源极与所述漏极间的有源层。金属层与金属氧化物层的复合层作为薄膜晶体管的源极和漏极,金属氧化物层既可以作为金属层的保护层,同时可代替PIN光电二极管的重掺杂N型层,减少制作过程中的工艺流程,提高生产效率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 探测 制作方法 射线 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种探测基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底上通过构图工艺依次形成栅电极层、栅绝缘层、有源层;通过构图工艺形成源极和漏极,所述源极和所述漏极均部分覆盖所述有源层,所述源极和所述漏极均为金属层与金属氧化物层的复合层,所述金属层靠近所述有源层;依次形成第一钝化层、遮光层以及PIN光电二极管的I型层和P型层,所述I型层在所述有源层上的正投影覆盖所述源极与所述漏极间的有源层;所述第一钝化层部分覆盖所述金属氧化物层,所述遮光层形成在所述第一钝化层上,所述I型层覆盖所述第一钝化层、所述遮光层和所述金属氧化物层,所述P型层形成在所述I型层上;其中,所述通过构图工艺形成源极和漏极的步骤,包括:在溅射设备中通以氩气,以金属靶材作为溅射靶材,沉积金属层;通以氩气和氧气的混合气体,以所述金属靶材作为溅射靶材,在所述金属层上沉积金属氧化物层;所述金属层与所述金属氧化物层的材料分别为锌和氧化锌;通过构图工艺形成源极和漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710509175.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种立式小花青风藤茶叶烘干机
- 下一篇:一种集成光耦合器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的