[发明专利]一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法在审
| 申请号： | 201710511722.7 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107331615A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 毕金莲;敖建平;高青;张照景;孙国忠;周志强;何青;张毅;孙云 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所12223 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法。表面处理是指在含S、Se、O、H等气氛中对半导体薄膜表面进行硫化、硒化、钝化或元素掺杂的过程。目的是提高半导体薄膜表面带隙，消除半导体薄膜表面悬挂键，钝化半导体薄膜表面缺陷，提高半导体薄膜导电能力。本发明提供的脉冲式快速热处理方法是在较低衬底温度下，采用高温或超高温度热处理半导体薄膜表面，处理温度500℃～1000℃，热处理时间60s以内。瞬间高温或超高温热处理可促进半导体薄膜表面化学反应发生，脉冲式快速热处理以及低衬底温度可实现半导体薄膜表面100nm厚度内的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 快速 热处理 半导体 薄膜 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法，其特征在于：在衬底温度为20℃～400℃范围条件下，在真空腔室内，采用脉冲式快速热处理方法对不同衬底上的半导体薄膜进行表面处理，热处理过程中的升温速率为100～300℃/s，半导体薄膜表面处理的深度在100nm以下，快速热处理半导体薄膜表面温度为500℃～1000℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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