[发明专利]一种IC封装工艺有效
| 申请号： | 201710512394.2 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107342354B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 何忠亮;丁华;郭秋卫;陈镇明 | 申请（专利权）人： | 深圳市环基实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人： | 张波涛;管莹 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开揭示了一种IC封装工艺，所述工艺生产的载板提高了IC封装密度、精度，在IC封装后基板与封装体可加热分离，简化了封装工艺，而且本公开在封装过程中不需贴高温胶纸，简化了封装工序，有利于节约成本和绿色生产。本公开还可应用在LED行业，如：EMC支架、CSP基板、灯丝灯及软灯条板的的制造和封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ic 封装 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种IC封装工艺，其特征在于：所述工艺包括以下步骤：S1、在镀有低熔点金属镀层的刚性导电基板上进行局部树脂涂覆、预镀铜及树脂导电化处理，然后在预镀铜及树脂导电层涂覆感光材料并进行图形转移、电镀、退膜、蚀刻得到IC封装载板；其中，所述低熔点金属镀层的熔点温度为180‑280℃；所述蚀刻具体包括：去除非电极区的电镀铜层并对底电极和顶电极间的侧壁铜层微蚀刻，所述蚀刻选用的蚀刻药水包括碱性蚀刻药水；S2、对所述IC封装载板进行IC封装形成封装体；S3、对所述封装体底部的刚性导电基板进行加热，当刚性导电基板温度超过低熔点金属镀层的熔点温度后，将刚性导电基板与封装体进行分离；S4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装，完成IC封装制程。
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