[发明专利]一种Fe3Sn2材料的用途及其制备方法在审
| 申请号： | 201710512958.2 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107221597A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王文洪;侯志鹏;丁贝;刘恩克;吴光恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/08;C30B29/52 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Fe3Sn2材料作为磁存储材料的用途。Fe3Sn2材料具有室温磁性斯格明子纳米磁筹结构，能够作为磁存储材料用于磁存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fe3sn2 材料 用途 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
Fe3Sn2材料作为磁存储材料的用途。
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