[发明专利]双镶嵌填充

摘要

本发明涉及双镶嵌填充。提供了一种用于用金属或金属合金填充电介质层中形成的通孔的方法，所述金属或金属合金对含铜互连件上的铜具有低溶解度，其中所述通孔是具有沟槽和通孔的双镶嵌结构的一部分。直接在通孔的底部的含铜互连件上选择性沉积对铜具有低溶解度的第一金属或金属合金的密封层，其中形成通孔的电介质层的侧壁暴露于沉积密封层，并且其中具有低溶解度的第一金属或金属合金被选择性沉积以仅在含铜互连件上形成层。在密封层上无电沉积对铜具有低溶解度的第二金属或金属合金的通孔填充物，从而填充通孔。

主权项

一种用金属或金属合金填充电介质层中形成的通孔的方法，所述金属或金属合金对含铜互连件上的铜具有低溶解度，其中所述通孔是具有沟槽和通孔的互连结构的一部分，所述方法包括：直接在所述通孔底部的所述含铜互连件上选择性地沉积对铜具有低溶解度的第一金属或金属合金的密封层，其中形成所述通孔的电介质层的侧壁暴露于所述沉积所述第一金属或金属合金，并且其中选择性沉积具有低溶解度的所述第一金属或金属合金，以仅在所述含铜互连件上形成层；以及在所述密封层上无电沉积对铜具有低溶解度的第二金属或金属合金的通孔填充物，从而填充所述通孔。