[发明专利]一种蚀刻液及其制备方法、使用方法有效
| 申请号： | 201710513832.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216179B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 韦家亮 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻液，该蚀刻液为含有氢氧化物、异丙醇、2‑乙基己基硫酸酯钠盐、聚乙烯胺和聚乙二醇的水溶液。本发明还提供了该种蚀刻液的制备方法和使用方法。本发明提供的蚀刻液可用以多晶硅的碱制绒，该蚀刻液在保证较优的制绒效果的同时，有效地消除硅片表面的线痕，而且消泡效果得到大大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 及其 制备 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液，其特征在于，其为含有氢氧化物、异丙醇、2‑乙基己基硫酸酯钠盐、聚乙烯胺和聚乙二醇的水溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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