[发明专利]一种常压下制备二维TMDC原子晶体材料的装置及方法有效
| 申请号： | 201710514753.8 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107326441B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李春;何天应;兰长勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/64 | 分类号： | C30B29/64;C30B29/46;C30B25/02;C30B30/04 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常压下制备二维TMDC原子晶体材料的装置及方法，该装置包括：具有内嵌式双管结构的高温管式炉，高温管式炉上设有主输运管和次输运管，次输运管内嵌于主输运管内；主输运管内设有载物舟一，次输运管内设有载物舟二；次输运管出口处设有支撑架，支撑架上放有衬底；高温管式炉外壁上设有用于加热载物舟一内物质的加热器一和用于加热载物舟二内物质的加热器二；高温管式炉出口处设有废气处理装置。利用该装置可制备非连续TMDC单晶片或单层、多层连续TMDC薄膜，且重复性好，节省源材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压下 制备 二维 tmdc 原子 晶体 材料 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种常压下制备二维TMDC原子晶体材料的装置，其特征在于，包括：具有内嵌式双管结构的高温管式炉，所述高温管式炉上设有主输运管和次输运管，所述次输运管内嵌于所述主输运管内；所述主输运管内设有载物舟一，所述次输运管内设有载物舟二；所述次输运管出口处设有支撑架，所述支撑架上放有衬底；所述高温管式炉外壁上设有用于加热载物舟一内物质的加热器一和用于加热载物舟二内物质的加热器二；所述高温管式炉出口处设有废气处理装置。
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