[发明专利]具有抗单粒子效应的VDMOS器件

摘要

本发明提供一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体外延层、漏极接触的金属电极、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体源区、第二导电类型半导体的体接触区、源极金属电极、氧化层、多晶硅栅、绝缘介质层；第一导电类型半导体外延层内部具有第二导电类型半导体埋层，本发明极大地提高了VDMOS器件的抗单粒子烧毁能力和抗单粒子栅穿能力，同时提出的抗单粒子加固的VDMOS结构在保证与常规VDMOS相同的耐压条件下，能通过提高漂移区的掺杂浓度而降低器件的导通电阻；此外，由于埋层的屏蔽作用减小了栅电极与漏极的重叠面积，该VDMOS结构的米勒电容也大大减低。

主权项

一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(2)和位于衬底(2)上方的第一导电类型半导体外延层(3)；所述第一导电类型半导体衬底(2)下表面有漏极接触的金属电极(1)；所述的第一导电类型半导体外延层(3)内部上方两侧具有第二导电类型半导体体区(4)；每个第二导电类型半导体体区(4)内部表面具有相互独立的第一导电类型半导体源区(5)和第二导电类型半导体的体接触区(6)；所述源区(5)和体接触区(6)上表面具有源极金属电极(7)；两侧的源区(5)之间的第一导电类型半导体外延层(3)的上表面有氧化层(8)以及位于氧化层(8)上表面的多晶硅栅(9)；多晶硅栅(9)与源极金属电极(7)之间具有绝缘介质层(10)；其特征在于：所述第一导电类型半导体外延层(3)内部具有第二导电类型半导体埋层(11)，其位置在氧化层(8)下方，且第二导电类型半导体埋层(11)和氧化层(8)及第二导电类型半导体体区(4)不邻接；所述第二导电类型半导体埋层(11)在器件有源区边缘通过体接触区和接触孔与源极金属电极相连接。