[发明专利]一种延缓LED应力的外延片生长方法在审
| 申请号： | 201710515050.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216510A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡金;王怀兵;王辉 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种延缓LED应力的外延片生长方法，包括如下步骤，采用金属有机气相外延法在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂氮化镓层，掺Si氮化镓层，在掺Si氮化镓层上生长氮化铝应力缓冲层；在氮化铝应力缓冲层上采用有机气相外延法生长多量子阱层及P型半导体层。本发明的有益效果体现在：增加应力改善层降低了外延层应力，提高了发光效率，更好的提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片生长 应力缓冲层 氮化镓层 氮化铝 生长 延缓 金属有机气相外延法 非掺杂氮化镓层 有机气相外延 多量子阱层 产品良率 发光效率 应力改善 缓冲层 外延层 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种延缓LED应力的外延片生长方法，其特征在于：包括如下步骤，S1、采用金属有机气相外延法在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂氮化镓层，掺Si氮化镓层；S2、在掺Si氮化镓层上生长氮化铝应力缓冲层；S3、在氮化铝应力缓冲层上采用有机气相外延法生长多量子阱层及P型半导体层。
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