[发明专利]一种玻璃基板上生长石墨烯的方法在审

专利信息
申请号: 201710515104.X 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN107117827A 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 汪永辉;汪盛明 申请(专利权)人: 南陵县生产力促进中心
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 241300 安徽省芜*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种玻璃基板上生长石墨烯的方法,所生长的石墨烯平铺在玻璃基板上,且存在褶皱,石墨稀的层厚为2‑5nm,形貌结构均匀。所述生长方法包括如下步骤1)以普通玻璃为基板,置于管式电阻炉中,玻璃基板置于365nm的紫外光照射下,同时石英管中引入微波。2)将管式电阻炉加热升温至350‑400℃,通入Ar‑H2‑CH4为反应气体,气体压强为10Pa,反应2小时。3)反应结束后,关闭电源,关闭紫外光和微波,继续通入Ar‑H2‑CH4混合气体,并使气体压强升至常压,利用混合气体冷却,使样品快速冷却至室温,得到所需的产物。本发明的玻璃基板上生长石墨烯的方法,衬底温度可低至350℃,这是石墨烯生长的非常低的温度,也是本发明的显著优势之一。且生长设备简单,操作方便,重复性好,良品率高,可实现规模化生产。
搜索关键词: 一种 玻璃 基板上 生长 石墨 方法
【主权项】:
一种玻璃基板上生长石墨烯的方法,其特征在于,生长方法包括如下步骤:1)以普通玻璃为基板,置于管式电阻炉中,玻璃基板置于365nm的紫外光照射下,同时石英管中引入微波;2)将管式电阻炉加热升温至350‑400℃,通入Ar‑H2‑CH4为反应气体,气体压强为10Pa,反应2小时;3)反应结束后,关闭电源,关闭紫外光和微波,继续通入Ar‑H2‑CH4混合气体,并使气体压强升至常压,利用混合气体冷却,使样品快速冷却至室温,得到所需的产物。
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