[发明专利]一种图像传感器结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710515230.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107302009B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器结构及其制备方法，通过设计探测结构层和盲元结构层上下堆叠，进一步探测结构层和盲元结构层均采用离子注入得到，从而将二者有效结合起来，不仅缩小了单个像元的空间占比，提高了芯片集成度和器件灵敏度，还使得盲元阵列和像元阵列所处环境相同，从而进一步提高探测灵敏度，减小探测误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器结构，具有有效像元阵列，其特征在于，在有效像元阵列中的每个有效像元中包括：探测结构层和盲元结构层；所述探测结构层和所述盲元结构层呈上下堆叠设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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