[发明专利]一种复合透明导电薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法，复合透明导电薄膜由透明氧化物层和薄金属层堆叠构成，其中薄金属层位于透明氧化物层之下，薄金属层的厚度为3～30nm，薄金属层呈透明状态，薄金属层中存在纳米孔；具体制备方法是：步骤(1)，制备薄金属层；步骤(2)，制备透明氧化物层并形成所需图案，经退火处理后放入液体中将未被透明氧化物覆盖的薄金属层除去，而透明氧化物层及被其所覆盖的薄金属层则保存下来，实现复合透明导电薄膜的图案化。图案化过程无需掩膜光刻，所制备的复合导电薄膜电阻率良好，电学稳定性好，具有一定的光学透过性，并且耐高温，抗氧化和抗侵蚀。

主权项

1.一种复合透明导电薄膜的制备方法，复合透明导电薄膜由透明氧化物层和薄金属层堆叠构成，其中薄金属层位于透明氧化物层之下，薄金属层呈透明状态；/n其特征在于：/n具体制备方法是：/n步骤(1)，制备薄金属层并无需对所制备的薄金属层图案化，通过涂布或真空镀膜的方法制备一层或多层薄金属层；/n步骤(2)，在薄金属层上采用印刷方法制备一层或多层透明氧化物层并形成所需图案，经退火处理后放入液体中将未被透明氧化物覆盖的薄金属层除去，而透明氧化物层及被其所覆盖的薄金属层则保存下来，实现复合透明导电薄膜的图案化；/n薄金属层中存在纳米孔，在制备透明氧化物层的过程中，透明导电氧化物能够渗透通过所述纳米孔并与基底接触；/n步骤(2)中，所述液体为水，采用超声处理方法使未被透明氧化物覆盖的薄金属层脱落而被去除；或者/n步骤(2)中，所述液体为薄金属刻蚀液；/n所述透明氧化物层的厚度为5～500nm，所述薄金属层的厚度为5～20nm；/n所述透明氧化物层的成分中含有In、Zn、Sn、Ga、Ge、Cd、Al中的至少一种；/n所述的薄金属层为含有Au、Cr、Pt、Cu、Al、Mo、Ti、Hf、Ta、W、和Zr中的至少一种的金属或多种合金薄膜。/n