[发明专利]一种化合物及其发光器件和显示装置

摘要

本发明涉及有机发光材料技术领域，具体涉及一种化合物及其发光器件和显示装置。该化合物的结构式如通式I所示。本发明提出一种基于四苯乙烯结构的TADF材料，兼有TADF和AIE效应，不仅可以利用传统荧光分子跃迁禁阻的三线态激子来发光，还能避免高电流密度和掺杂浓度下的激子淬灭，从而可显著提高器件的效率。

主权项

1.一种化合物，其特征在于，所述化合物的结构式如通式I所示：R₁选自吸电子基团且选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基或以下结构式表示的取代基：其中，取代基选自卤素原子、‑NO₂、‑CN、全卤素或部分卤素取代的C₁～C₆烷基、C₁～C₆烷基；R_a、R_b、R_c各自独立的选自氢原子、卤素原子、‑NO₂、‑CN、全卤素或部分卤素取代的C₁～C₆烷基、C₁～C₆烷基；R₄选自C₁～C₆烷基，R₅选自C₆～C₁₂芳基；t、u、v各自独立的选自1～5的整数；R₂、R₃各自独立的选自氢原子或吸电子基团且所述吸电子基团选自卤素原子、‑NO₂、‑CN、全卤素或部分卤素取代的C₁～C₆烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基或以下结构式表示的取代基：其中，取代基选自卤素原子、‑NO₂、‑CN、全卤素或部分卤素取代的C₁～C₆烷基、C₁～C₆烷基；R_a’、R_b’、R_c’各自独立的选自氢原子、卤素原子、‑NO₂、‑CN、全卤素或部分卤素取代的C₁～C₆烷基、C₁～C₆烷基；R₄选自C₁～C₆烷基，R₅选自C₆～C₁₂芳基；t’、u’、v’各自独立的选自1～5的整数；r、s各自独立的选自1～4的整数。