[发明专利]团簇离子注入的系统、大原子基团形成方法和超浅结制备方法

摘要

本发明提供了一种团簇离子注入的系统、大原子基团形成方法和超浅结制备方法，大原子基团的形成包括离子源发生腔中生成等离子体；从离子源发生腔出来的部分等离子体进入靶材腔，轰击靶材，从靶材中轰击出的靶材原子与所述等离子体包括的原子相互碰撞，生成大原子团；从靶材腔出来的大原子团进入基团增大腔中，同时，从离子源发生腔出来的部分等离子体进入基团增大腔，并且所述等离子体包括的电子碰撞从靶材腔出来的大原子团使其带电，从而增加带电大原子团的占比；从基团增大腔出来的带电大原子团进入磁场分析腔，进行荷质比筛选，选择所需荷质比的带电大原子团。本发明实现了离化的大原子基团和利用大原子基团的注入。

主权项

一种团簇离子注入的系统，其特征在于，包括：离子源发生腔，用于生成离子源；靶材腔，从离子源发生腔出来的部分离子源进入靶材腔，轰击靶材，从靶材中轰击出的离子、原子、分子、原子团相互碰撞，生成原子团；基团增大腔，从靶材腔出来的原子团进入基团增大腔中，同时，从离子源发生腔出来的部分离子源进入基团增大腔并且碰撞从靶材腔出来的原子团使其带电，从而增加带电大原子团的占比；磁场分析腔，从基团增大腔出来的大原子团进入磁场分析腔，进行荷质比筛选，选择所需荷质比的带电原子团。