[发明专利]一种高电阻率的红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201710516500.4 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107180888B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种高电阻率的红外探测器及其制备方法,该红外探测器包括:至少一鳍结构单元,其具有至少一条鳍结构;敏感层,设置在鳍结构单元的侧壁,并且,具有一开口,从而使得敏感层具有两个贴附侧壁的端部,且两个端部不接触;第一电极层和第二电极层分别与两个端部一一连接,并且第一电极层和第二电极层之间互不接触。本发明通过设置垂直侧壁敏感层来提高敏感层电阻率,同时还确保降低光刻对敏感层的影响。 | ||
搜索关键词: | 敏感层 红外探测器 鳍结构 第二电极 第一电极 高电阻率 侧壁 制备 垂直侧壁 互不接触 不接触 电阻率 光刻 贴附 开口 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测器,其特征在于,包括:至少一鳍结构单元,其具有至少一条鳍结构;敏感层,设置在鳍结构单元的侧壁,并且,具有一开口,从而使得敏感层具有两个贴附侧壁的端部,且两个端部不接触;第一电极层和第二电极层分别与两个端部一一连接,并且第一电极层和第二电极层之间互不接触;其中,所述鳍结构单元为U型鳍结构,包括两条沿第一方向的平行的鳍和一条沿第二方向的鳍,沿第二方向的鳍将沿第一方向的两条鳍的端部连接起来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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