[发明专利]多重外延层的共射共基晶体管有效
| 申请号： | 201710516502.3 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107482057B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李斌;彭俊益;王江;苏住裕 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多重外延层的共射共基化合物半导体晶体管，包括衬底以及于所述衬底上由下至上依次层叠的第一n型掺杂层、第一p型掺杂层、第二n型掺杂层、第三n型掺杂层、第二p型掺杂层和第四n型掺杂层，由下至上所述各掺杂层的长度依次递减以呈阶梯式排布，且所述各掺杂层裸露的台面上分别设有金属端子，其中第二n型掺杂层和第三n型掺杂层的金属端子电性连接。本发明通过台面堆栈式垂直外延结构实现共射共基结构，结合了底部共发射极器件的击穿电压和顶级共基极器件的击穿电压，大大提高了电压使用范围；相对于传统的水平放置式，可以实现更大的面积效率和成本效益。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 外延 共射共基 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种多重外延层的共射共基晶体管，其特征在于：所述共射共基晶体管是化合物半导体晶体管，包括衬底以及于所述衬底上由下至上依次层叠的第一n型掺杂层、第一p型掺杂层、第二n型掺杂层、第三n型掺杂层、第二p型掺杂层和第四n型掺杂层，由下至上所述各掺杂层的长度依次递减以使各掺杂层呈阶梯式排布，且所述各掺杂层裸露的台面上分别设有金属端子，其中第二n型掺杂层和第三n型掺杂层的金属端子电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710516502.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：超结器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
