[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710516576.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216191B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 林俊豪;陈信宇;谢守伟 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包括，首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一浅沟隔离于鳍状结构周围，形成一栅极层于鳍状结构及浅沟隔离上，去除部分栅极层、部分鳍状结构以及部分浅沟隔离以形成一开口，之后再形成一介电层于开口内以形成一单扩散隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，包含：形成一鳍状结构于一基底上；形成一浅沟隔离于该鳍状结构周围；形成一栅极层于该鳍状结构及该浅沟隔离上；去除部分该栅极层、部分该鳍状结构以及部分该浅沟隔离以形成一开口；以及形成一介电层于该开口内以形成一单扩散隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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