[发明专利]感光元件及测距系统有效
申请号: | 201710516607.9 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107331723B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 东尚清;李碧洲 | 申请(专利权)人: | 艾普柯微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;G01S17/08;G01S7/48 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供一种感光元件及测距系统。本申请中,所述感光元件包括:P型轻掺杂的衬底、位于衬底上的电极组以及两个N型重掺杂的信号读出点。其中,衬底包括感光区。电极组包括至少两个P型重掺杂的电极,至少两个P型重掺杂的电极中相邻的两个电极之间存在间隙。两个N型重掺杂的信号读出点分别位于电极组的两侧。电极组与两个信号读出点位于感光区。在曝光至一个信号读出点读取光生信号电荷期间,在朝向读取光生信号电荷的信号读出点的方向上,至少两个P型重掺杂的电极上施加的电压递增,光生信号电荷为衬底因吸收光而产生。本申请的技术方案,可以提高测距系统的测距速度,同时提高系统分辨率。 | ||
搜索关键词: | 感光 元件 测距 系统 | ||
【主权项】:
1.一种感光元件,其特征在于,包括:P型轻掺杂的衬底;所述衬底包括感光区;位于所述衬底上的电极组;所述电极组包括:至少两个P型重掺杂的电极;所述至少两个P型重掺杂的电极中相邻的两个电极之间存在间隙;以及两个N型重掺杂的信号读出点,分别位于所述电极组的两侧;所述电极组与两个所述信号读出点位于所述感光区;其中,在曝光至一个所述信号读出点读取光生信号电荷期间,在朝向读取光生信号电荷的信号读出点的方向上,所述至少两个P型重掺杂的电极上施加的电压递增,所述光生信号电荷为所述衬底因吸收光而产生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的