[发明专利]基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法

摘要

本发明涉及基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法，包括单晶硅片去损伤层，表面抛光、单面制绒，硅片制绒面制备超薄隧穿氧化层SiO₂及掺P多晶硅层形成N⁺发射结，经过湿法选择性刻蚀去掉背面绕度掺磷的多晶硅层，高温退火工艺对正面磷掺杂多晶硅层进行激活，电池背面沉积Al₂O₃层，电池正面/背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层，采用ns激光对背面钝化层进行选择性图形化开膜，最后通过丝网印刷背面铝浆/背电极，正面金属电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触。本发明通过其选择性隧穿能力，降低发射结表面金属‑半导体表面复合，且工艺技术路线兼容现有高效单晶PERC电池制备流程，有利于降低设备投资成本。

主权项

1.基于单晶PERC正面发射结隧穿氧化钝化电池制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)硅片在碱制绒槽中去除损伤层并进行表面抛光、单面制绒，形成1μm‑6μm高的金字塔绒面；(2)在硅片制绒面制备超薄隧穿氧化层SiO2及掺P多晶硅层形成N+发射结；(3)湿法工艺选择性刻蚀去除背面绕度掺磷的多晶硅层；(4)高温退火工艺对正面磷掺杂多晶硅层进行激活；(5)电池背面经过ALD/PECVD方式沉积5‑20nm厚的Al2O3层；(6)电池正面/背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(7)采用ns激光对背面钝化层进行选择性图形化开膜；(8)在电池正面及背面，采用PECVD或磁控溅射法沉积80nm‑100nm的氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(9)通过丝网印刷背面铝浆/背电极，正面金属电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触，制作得到正面发射结隧穿氧化钝化电池。