[发明专利]一种两段式FLiNaK熔盐深度脱氧方法在审
| 申请号： | 201710517895.X | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107274944A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 肖吉昌;宗国强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海有机化学研究所 |
| 主分类号： | G21C21/00 | 分类号： | G21C21/00;G21C15/28 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 马思敏,王正君 |
| 地址： | 200032 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种两段式FLiNaK熔盐深度脱氧方法，所述制备方法包括先用氟氢化法(H2‑HF)净化熔盐至氧含量低于100ppm，然后向体系中添加少量高纯金属进行深度净化。所述方法制得的熔盐杂质金属离子含量小于5ppm，酸根离子含量小于5ppm，氧含量小于40ppm，更大程度地降低了氧化物腐蚀介质的含量，具有方法简便，成本较低，效率高、安全性能好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 段式 flinak 深度 脱氧 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯熔盐制备方法，其特征在于，包括步骤：(1)提供一熔盐；(2)通过氟氢化法对所述的熔盐进行净化，得到初步纯化的熔盐；(3)用金属还原剂对所述初步纯化的熔盐进行深度净化，得到所述的高纯熔盐。
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