[发明专利]一种绝缘SOI材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种绝缘SOI材料的制备方法，包括以氢、氦离子注入引起的纳米空腔吸除体硅和SOI材料中的Cu杂质，将氦离子注入形成的纳米空腔分别引入到SIMOXSOI材料和Smart‑cut SOI材料的氧化埋层下面，在高温退火后对富氧埋层的分布所起的影响差别不大;退火时，氢注入引起的空位和氢的共同作用将有限加逗氧的扩散速率，增加了氧的内扩散和外扩散，形成了一个分布更广的富氧区域;氧离子注入后注入剂量较大的氢离子将不利于连续的氧化埋层的形成。该绝缘SOI材料的制备方法因其SIMOX材料的埋层界面对Cu有一定的吸杂作用，但吸杂效率较低且高温下吸杂不稳定，而Smart‑cut SOI的埋层界面比SIMOX SOI更为完美，纳米空腔层的吸杂效果更为明显；首次在同一硅衬底中引入了空腔层和Al金属沉淀层两个吸杂位置，对比研究了两种不同吸杂手段对Cu杂质的吸除效果。

主权项

1.一种绝缘SOI材料的制备方法，包括以氢、氦离子注入引起的纳米空腔吸除体硅和SOI材料中的Cu杂质，将氦离子注入形成的纳米空腔分别引入到SIMOXSOI材料和Smart‑cut SOI材料的氧化埋层下面，在高温退火后对富氧埋层的分布所起的影响差别不大;退火时，氢注入引起的空位和氢的共同作用将有限加逗氧的扩散速率，增加了氧的内扩散和外扩散，形成了一个分布更广的富氧区域；氧离子注入后注入剂量较大的氢离子将不利于连续的氧化埋层的形成。