[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710521790.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107359227B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管的MQW层由三个子层组成，三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，每个子层均为量子阱层和量子垒层交替生长的层叠结构，量子垒层中掺有Si元素，第三子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度，第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于第二子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度。本发明将第二子层的Si的掺杂浓度设为最低以形成“凹型”掺杂形式，第二子层即作为电子临时的储存区域，第二子层与第一子层和第三子层之间会形成较优的电流扩展，从而有效降低电压，提高LED发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW层、电子阻挡层、P型层和活化接触P型层，其特征在于，所述MQW层由三个子层组成，所述三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，每个所述子层均为量子阱层和量子垒层交替生长的层叠结构，所述量子垒层中掺有Si元素，所述第三子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于所述第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度，且所述第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于所述第二子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度；所述第一子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为5‑10E17/cm3，所述第二子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为1‑5E17/cm3，所述第三子层中的量子垒层的Si的掺杂浓度为1‑5E18/cm3。
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