[发明专利]一种单相Z源高频链矩阵式逆变器拓扑及SPWM调制方法在审
申请号: | 201710521841.0 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107332455A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 闫朝阳;孙喆;梁晨阳;李建霞;庞建霞 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | H02M7/537 | 分类号: | H02M7/537;H02M3/155 |
代理公司: | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙)13116 | 代理人: | 李合印 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种单相Z源高频链矩阵式逆变器拓扑及SPWM调制方法,所述单相Z源高频链矩阵式逆变器拓补由电源网络、Z源网络、H桥单相逆变器、高频变压器、矩阵式变换器、LC型滤波器依次连接构成;变压器前级的调制方法是将SPWM信号发生环节所产生的SPWM波通过升压脉宽调制逻辑处理,得到带直通信号的H桥单相逆变器驱动信号,使变压器前级电路输出单极性三态方波,以实现向输出负载侧传递能量的控制;变压器后级的调制方法为SPWM解结耦调制,该调制将变压器后级的矩阵变换器解耦成两个普通逆变器进行控制。所述拓补是在高频链矩阵式逆变器的基础上加上了Z源网络,使其具有升降压的功能。本发明具有功率变换等级少、能量双向流动、结构简单可靠等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 单相 高频 矩阵 逆变器 拓扑 spwm 调制 方法 | ||
【主权项】:
一种单相Z源高频链矩阵式逆变器拓扑,其特征在于:所述逆变器拓扑由电源网络、Z源网络、H桥单相逆变器、高频变压器、矩阵式变换器、LC型滤波器连接构成;所述电源网络由直流输入电压udc、二极管D1、可控开关管Q5、电容C3组成;Z源网络由电感L1、电感L2、电容C1、电容C2组成;H桥单相逆变器由可控开关管Q1、可控开关管Q2、可控开关管Q3、可控开关管Q4组成;矩阵变换器由可控开关管SP1、可控开关管SP2、可控开关管SP3、可控开关管SP4、可控开关管Sn1、可控开关管Sn2、可控开关管Sn3、可控开关管Sn4组成;LC型滤波器由电感Lf、电容Cf和负载R组成;直流输入电压udc的正极与二极管D1的阳极相连,二极管D1的阴极分别与可控开关管Q5的发射极、电容C3的一端相连,可控开关管Q5的集电极分别与电感L1的一端、电容C1的一端相连;电容C3的另一端分别与直流输入电压udc的负极、电感L2的一端、电容C2的一端相连;电感L1的另一端分别与电容C2的另一端、可控开关管Q1的集电极、可控开关管Q3的集电极相连;电感L2的另一端分别与电容C1的另一端、可控开关管Q2的发射极、可控开关管Q4的发射极相连;可控开关管Q1的发射极与可控开关管Q2的集电极相连,相连后与高频变压器T原边的一端相连;可控开关管Q3的发射极与可控开关管Q4的集电极相连,相连后与高频变压器T原边的另一端相连;高频变压器T副边的一端分别与可控开关管SP1的集电极、可控开关管SP2的集电极相连;可控开关管SP1的发射极与可控开关管Sn4的发射极相连,可控开关管Sn4的集电极分别与可控开关管SP3的集电极、电感Lf的一端相连;可控开关管SP3的发射极与可控开关管Sn2的发射极相连;可控开关管SP2的发射极与可控开关管Sn3的发射极相连,可控开关管Sn3的集电极分别与可控开关管SP4的集电极、电容Cf的一端、负载R的一端相连,负载R的另一端分别与电感Lf的另一端、电容Cf的另一端相连;可控开关管SP4的发射极与可控开关管Sn1的发射极相连,高频变压器T副边的另一端分别与可控开关管Sn2的集电极、可控开关管Sn1的集电极相连。
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