[发明专利]用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法有效
| 申请号： | 201710522311.8 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107564790B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 阿希尔·辛格哈尔;帕特里克·A·范克利蒙布特;马丁·E·弗里伯恩;巴特·J·范施拉芬迪克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法。提供了用于在集成工具中执行沉积和蚀刻工艺的装置和方法。装置可以包括等离子体处理室，其是电容耦合等离子体反应器，等离子体处理室可以包括：包括上电极的喷头和包括下电极的基座。该装置可以配置有RF硬件配置，使得RF发生器可以在沉积模式下为上电极供电，并在蚀刻模式下为下电极供电。在一些实施方案中，该装置可以包括一个或多个开关，使得在沉积模式下至少HFRF发生器电连接到喷头，并且在蚀刻模式下HFRF发生器和LFRF发生器电连接到基座并且喷头接地。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间隙 填充 沉积 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于执行沉积和蚀刻工艺的集成装置，所述装置包括：处理室，其中所述处理室包括喷头和基座；低频射频(LFRF)发生器；高频射频(HFRF)发生器；以及一个或多个开关，其能操作地耦合到所述低频射频发生器和所述高频射频发生器中的一者或两者，所述一个或多个开关被配置为在以下模式之间切换：(1)用于执行沉积工艺的沉积模式，其中在所述沉积模式下所述一个或多个开关将至少所述高频射频发生器耦合到所述喷头，和(2)用于执行蚀刻工艺的蚀刻模式，其中在所述蚀刻模式下所述一个或多个开关将所述高频射频发生器和所述低频射频发生器耦合到所述基座并将所述喷头接地。
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