[发明专利]一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺在审
| 申请号： | 201710522320.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107162003A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 于志远;何燕清;佘建峰;刘于航 | 申请（专利权）人： | 于志远 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348 | 代理人： | 王伟锋,刘铁生 |
| 地址： | 830000 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明为一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺。一种三氯氢硅制备高纯硅工艺，包括(1)将三氯氢硅气体和氢气进入微通道混合加热器加热并混合，得加热后的混合气体；(2)将加热后的混合气体送入微通道反应器，加热并在催化剂的存在下反应，得反应后的混合物；(3)将反应后的混合物降温至后，进行固气分离，得高纯硅和冷却后的混合气体；将冷却后的混合气体中各个组分分离并回收利用。本发明还公布了一种四氯化硅氢化工艺。本发明所述的一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺，与传统工艺相比，四氯化硅和三氯氢硅的转化率可以达到50％以上；该工艺与微化工工艺结合，从而可以提高转化率、生产工艺的安全性，降低能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氯化 氢化 工艺 三氯氢硅 制备 高纯 | ||
【主权项】：
一种四氯化硅氢化工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)将四氯化硅气体和氢气按0.2‑0.5：1的摩尔比进入微通道混合加热器加热并混合，加热温度为100—700℃，得加热后的混合气体；将加热后的混合气体送入微通道反应器，加热并在催化剂的催化下反应，加热温度为700—1300℃，得反应后的混合气体；将反应后的混合气体降温至250‑350℃，得冷却后的混合气体；所述催化剂为氧化铝；或将四氯化硅气体和氢气按0.1‑0.3：1的摩尔比进入微通道混合加热器加热并混合，加热温度为100—800℃，得加热后的混合气体；将加热后的混合气体送入微通道反应器，加热并在催化剂的催化下反应，加热温度为700—1400℃，得到反应后的混合物；将反应后的混合物降温至250‑350℃后，通过固气分离，得高纯硅和冷却后的混合气体；所述催化剂为氧化铝；(2)冷却后的混合气体进入回收分离装置，将各个组分分离，得到氢气、氯化氢和氯硅烷气体；氢气返回到步骤(1)，氯硅烷送到精馏分离提纯后，得到四氯化硅和三氯氢硅，四氯化硅返回到步骤(1)。
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