[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710522326.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195739B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管的电子阻挡层由三个子层组成，三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层由n+1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，第二子层由n个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，第三子层由n‑1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，第一子层、第二子层和第三子层中的InGaN层中均掺杂有Mg，3≤n≤6。本发明通过将电子阻挡层分成三个掺杂不同的相同结构的超晶格子层，形成三段阻挡层，尽可能的减少电子泄露到P层导致非辐射复合的发生。且该三个子层的每一子层的超晶格的周期数是按照1逐渐减少，可以更好的阻挡电子，同时又不会较多的阻挡空穴，进而提高发光二极管晶体的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和活化接触P型层，其特征在于，所述电子阻挡层由三个子层组成，所述三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层由n+1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，所述第二子层由n个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，所述第三子层由n‑1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，所述第一子层中的InGaN层、第二子层中的InGaN层和第三子层中的InGaN层中均掺杂有Mg，3≤n≤6。
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