[发明专利]磁传感器装置和磁感测方法有效

专利信息
申请号: 201710523414.6 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107561460B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: H.布吕克尔;K.普吕格尔;W.拉贝格;A.扎茨;D.聚斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 黄涛;杜荔南
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及一种磁传感器装置(300),所述磁传感器装置(300)包括至少一个磁阻结构(310)。所述磁阻结构包括:磁自由层(316),被配置为在自由层中产生闭合通量磁化样式,和磁参考层(314),具有非闭合通量参考磁化样式;和磁通量集中器(320),被配置为增加磁自由层(316)中的外部磁场(330)的通量密度。
搜索关键词: 传感器 装置 磁感测 方法
【主权项】:
一种磁传感器装置,包括:至少一个磁阻结构,包括磁自由层,被配置为在自由层中产生闭合通量磁化样式,和磁参考层,具有非闭合通量参考磁化样式;和磁通量集中器,被配置为增加磁自由层中的外部磁场的通量密度。
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