[发明专利]一种光敏器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710523876.8 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107369737B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光敏器件及其制备方法，通过在半导体衬底正面设置第一沟槽，在第一沟槽侧壁和底部表面形成第一金属层，第一金属层与第一沟槽的侧壁和底部的半导体衬底之间形成金属‑半导体接触；第一金属层作为导电层；以及在半导体衬底背面形成第二沟槽；第二沟槽位于第一沟槽的正下方，且第一沟槽的底部和第二沟槽的底部相对；环绕第二沟槽侧壁设置N+环形区域，N+环形区域作为探测层，用于探测入射光并产生电信号，从而提高耗尽区比例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光敏 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光敏器件，其特征在于，包括：一半导体衬底；位于半导体衬底正面的第一沟槽，第一沟槽侧壁和底部表面形成有第一金属层，第一金属层与第一沟槽的侧壁和底部的半导体衬底之间形成金属‑半导体接触；第一金属层作为导电层；位于半导体衬底背面的第二沟槽；第二沟槽位于第一沟槽的正下方，且第一沟槽的底部和第二沟槽的底部相对；环绕第二沟槽侧壁设置的N+环形区域，N+环形区域作为探测层，用于探测入射光并产生电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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