[发明专利]MRAM与其的制作方法有效
申请号: | 201710526108.8 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN109216538B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 王雷;刘鲁萍 | 申请(专利权)人: | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请提供了一种MRAM与其的制作方法。该制作方法包括:步骤S1,在衬底的表面上设置金属导线层;步骤S3,在金属导线层的远离衬底的表面上设置介电层;步骤S4,采用双大马士革工艺形成多个间隔的通孔,通孔包括第一部分与第二部分,第二部分的深度小于第一部分的深度,第二部分的宽度大于第一部分的宽度;步骤S5,在各通孔中填充底电极材料,形成底电极,底电极的远离衬底的表面与介电层的远离衬底的表面在同一个平面上,底电极材料为非铜的导电材料。该方法避免了先在通孔中填充铜,然后再在铜上设置底电极的两步工艺,且由于不设置Cu,避免了由于Cu的硬度较低而导致不能形成较平整的表面的问题。 | ||
搜索关键词: | mram 与其 制作方法 | ||
【主权项】:
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