[发明专利]一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法有效
| 申请号： | 201710528591.3 | 申请日： | 2017-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107453202B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张明洋;赵建宜;王任凡;岳爱文 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/0625 | 分类号： | H01S5/0625 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种热隔离的可调谐DBR激光器及其加工方法和使用方法。其中可调谐DBR激光器由前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区依次耦合形成，其中，所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区在同一基体上生长得到；根据所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区所在位置，在所述基体上位于上述各区域之间的耦合带设置有隔离槽；所述隔离槽使得各区域的基体之间部分隔离或者相互独立。本发明实施例提供了一种基体相互隔离的DBR可调激光器，不仅克服了现有技术中基体必须为一整体的固有观念，而且通过设置隔离槽有效的改善了各区域间产热相互影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 调谐 dbr 激光器 及其 加工 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种热隔离的可调谐DBR激光器，其特征在于，可调谐DBR激光器由前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区依次耦合形成，其中，所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区在同一基体上生长得到；根据所述前段光栅区、有源区、相位调节区和后段光栅区所在位置，在所述基体上位于上述各区域之间的耦合带设置有隔离槽；所述隔离槽使得各区域的基体之间部分隔离或者相互独立；所述基体由InP材料构成，在基体与各区域之间存在一层InGaAsP抗腐蚀层；其中，所述隔离槽的深度，以所示隔离槽抵达所述InGaAsP抗腐蚀层表面为准。
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