[发明专利]一种基于石墨烯热电效应的室温太赫兹探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710529441.4 | 申请日： | 2017-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN107482109A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 罗小青;王长;谭智勇;曹俊诚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L35/30 | 分类号： | H01L35/30;H01L35/32;H01L35/14;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达,魏峯 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于石墨烯热电效应的室温太赫兹探测器及其制备方法，所述探测器包括硅衬底、位于硅衬底上的SiO2薄膜、位于SiO2薄膜上的石墨烯有效区以及天线；所述石墨烯有效区两端欧姆接触电极使用不同功函数不同热导率的金属材料。制备方法包括1)氧等离子体刻蚀出器件的石墨烯有效区；2)湿法刻蚀SiO2薄膜，制作出背栅电极；3)显影石墨烯有效区沟道；4)电子束蒸发蒸镀漏源电极Au和Ti；5)退火。本发明的室温太赫兹探测器响应率和灵敏度高，制备工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 热电 效应 室温 赫兹 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯热电效应的室温太赫兹探测器，其特征在于：所述探测器包括硅衬底、位于硅衬底上的SiO2薄膜、位于SiO2薄膜上的石墨烯有效区以及天线；所述石墨烯有效区两端欧姆接触电极使用不同功函数不同热导率的金属材料。
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