[发明专利]一种互补驱动电路在审

专利信息
申请号: 201710529839.8 申请日: 2017-07-02
公开(公告)号: CN107248809A 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 马丽娟 申请(专利权)人: 马丽娟
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101300 北京市顺*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种互补驱动电路,包括高位开关SH,低位开关SL,第一二极管D1,第二二极管D2,第一电阻R1,电感L1,驱动电阻Rg1,栅源电阻Rg2,稳压管ZD1,线圈N1,当SH和SL是MOSFET时,Rg2并联于SH的栅极和源极,ZD1的阴极和阳极分别并联于SH的栅极和源极;D1和L1串联后,再与R1并联,形成DLR电路;DLR电路的A端连接SH的源极B端连接SL的漏极;Rg1一端连接DLR电路的B端,另一端连接SH的栅极;SL的源极连接Rs;D2的阳极连接Rs的任一端,阴极连接N1的同名端。L1在SL关断时释放能量,此能量释放过程产生的电流在DLR电路AB两端产生电压,当B端为正A端为负时,驱动高位开关SH导通,当B端为负A端为正时,驱动高位开关SH关断。
搜索关键词: 一种 互补 驱动 电路
【主权项】:
一种互补驱动电路,包括高位开关SH,低位开关SL,第一二极管D1,第二二极管D2,第一电阻R1,电感L1,驱动电阻Rg1,栅源电阻Rg2,稳压管ZD1,线圈N1,其特征是,当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时,栅源电阻Rg2并联于高位开关SH的栅极和源极,稳压管ZD1的阴极和阳极分别并联于高位开关SH的栅极和源极;第一二极管D1和电感L1串联后,再与第一电阻R1并联,形成DLR电路;DLR电路的A端连接高位开关SH的源极,DLR电路的B端连接低位开关SL的漏极;驱动电阻Rg1一端连接DLR电路的B端,另一端连接高位开关SH的栅极;低位开关SL的源极连接采样电阻Rs;第二二极管D2的阳极连接采样电阻Rs的任一端,阴极连接线圈N1的同名端,线圈N1的同名端连接高位开关SH的源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马丽娟,未经马丽娟许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710529839.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top