[发明专利]实现分散原子I/O写入有效
申请号: | 201710530805.0 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107564558B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | K·桑帕特库马尔;P·N·R·基拉卡拉;P·R·玛哈拉纳;D·P·巴特拉伊 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明题为:“实现分散原子I/O写入”。本发明提供用于在存储设备中执行分散原子I/O写入的方法、系统和计算机可读存储介质。从请求者接收待作为原子单元完成的块I/O写入请求列表,其中所述块I/O写入请求中的至少两者指定存储介质上的不连续数据位置。将所述多个块I/O写入请求缓存在写入缓冲器中,其中每个缓冲器条目被标记为具有无效状态,其中将缓冲器条目标记为具有无效状态防止其被刷新到所述存储介质。在缓存所有所述多个块I/O写入时,同时将所有所述缓冲器条目标记为具有有效状态。在将所有所述缓冲器条目标记为具有有效状态后,向所述请求者确认所述块I/O写入请求列表的成功完成。 | ||
搜索关键词: | 实现 分散 原子 写入 | ||
【主权项】:
一种方法,包括以下步骤:从请求者接收待作为原子单元完成的块I/O写入请求列表,所述块I/O写入请求列表指定多个块I/O写入,其中所述多个块I/O写入中的至少两者指定存储介质上的不连续数据位置;缓存所述多个块I/O写入中的每一者,同时将对应于所述多个块I/O写入中的每一者的缓冲器条目标记为具有无效状态,其中将缓冲器条目标记为具有无效状态防止所述相关联的块I/O写入被刷新到所述存储介质;在缓存所有所述多个块I/O写入时,将对应于所述多个块I/O写入中的每一者的所述缓冲器条目标记为具有有效状态,其中将缓冲器条目标记为具有有效状态致使所述相关联的块I/O写入有资格被刷新到所述存储介质;以及在将对应于所述多个块I/O写入中的每一者的所述缓冲器条目标记为具有有效状态时,向所述请求者确认所述块I/O写入请求列表的成功完成。
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