[发明专利]一种半导体功率器件及其终端结构在审
| 申请号： | 201710530888.3 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107464835A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 杜文芳;章文红;蒲奎;曾军;穆罕默德·达尔维什;王耀华;刘江;朱涛;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 成都迈斯派尔半导体有限公司;全球能源互联网研究院有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 620500 四川省成都市天*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体功率器件及其终端结构，该终端结构包括具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的第一半导体区，具有第二导电类型的第二半导体区，第一半导体区、第二半导体区位于半导体衬底的上表面中；槽体，位于半导体衬底的上表面中，槽体中填充介质；槽体的至少一部分被具有第二导电类型的第三半导体区包围。通过实施本发明，可在更短的距离内承受高电压，从而减小终端结构的面积，且包覆该槽体的半导体区可使半导体器件具有较高击穿电压，并且可以有效降低器件对界面电荷的敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 及其 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有所述第一导电类型的第一半导体区，具有第二导电类型的第二半导体区，所述第一半导体区、第二半导体区位于所述半导体衬底的上表面中；槽体，位于所述半导体衬底的上表面中，所述槽体中填充介质；所述槽体的至少一部分被具有所述第二导电类型的第三半导体区包围。
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