[发明专利]一种半导体封装方法及封装结构在审

专利信息
申请号: 201710531849.5 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107342269A 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 李昭强 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 代理人: 马永芬
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体封装方法及封装结构,其中所述方法包括在载片的第一表面上形成凹槽;凹槽的位置与芯片的焊盘位置相对应;在凹槽中设置金属连接柱;将芯片贴装在载片的第一表面上;对载片的第一表面进行封装,形成封装层;对载片的第二表面进行减薄至露出金属连接柱;在载片的第二表面加工第一绝缘层;在第一绝缘层上形成与金属连接柱连通的通孔;在载片的第二表面上加工线路层;线路层通过通孔与金属连接柱连接;在载片的第二表面加工第二绝缘层;在第二绝缘层上加工与线路层连通的开口,并在开口处设置焊球。本方法无需拆除载片或载片与芯片之间的胶膜以露出芯片的焊盘,载片不会形成翘曲,使得芯片封装结构可以做得较为轻薄。
搜索关键词: 一种 半导体 封装 方法 结构
【主权项】:
一种半导体封装方法,其特征在于,包括:在载片的第一表面上形成凹槽;所述凹槽的位置与芯片的焊盘位置相对应;在所述凹槽中设置金属连接柱;将芯片贴装在所述载片的第一表面上,所述金属连接柱与所述芯片的焊盘的连接;对载片的第一表面进行封装,形成覆盖所述芯片的封装层;对所述载片的第二表面进行减薄至露出所述金属连接柱;在所述载片的第二表面加工第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成与所述金属连接柱连通的通孔;在所述载片的第二表面上加工线路层;所述线路层通过所述通孔与所述金属连接柱连接;在所述载片的第二表面加工第二绝缘层;在所述第二绝缘层上加工与所述线路层连通的开口,并在所述开口处设置焊球。
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