[发明专利]半导体器件的分裂栅结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的分裂栅结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；向沟槽内淀积氧化硅；回刻一部分氧化硅；通过热氧化处形成氧化硅拐角结构；在晶圆表面淀积含氮化合物；干法刻蚀含氮化合物，氧化硅拐角结构表面形成含氮化合物侧壁残留；以含氮化合物侧壁残留为掩膜，将沟槽内的氧化硅通过刻蚀去除掉表面的一部分；依次重复执行以上三个步骤直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度；向沟槽内填入下层多晶硅，通过湿氧氧化在下层多晶硅上形成隔离氧化硅，去除沟槽内的含氮化合物，在侧壁氧化硅表面再生长氧化硅，在沟槽内形成上层多晶硅。本发明采用淀积+分步刻蚀的方式形成沟槽内的氧化硅，减少了氧化时间，提高了生产效率。

主权项

1.一种半导体器件的分裂栅结构的制造方法，包括：步骤A，在晶圆表面形成沟槽；步骤B，通过淀积向所述沟槽内填充氧化硅；步骤C，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；步骤D，通过热氧化在沟槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构，所述氧化硅拐角结构为从拐角处往下、位于沟槽内部的氧化硅逐渐变厚的结构；步骤E，在晶圆表面淀积含氮化合物，覆盖所述沟槽内的氧化硅表面及所述氧化硅拐角结构表面；步骤F，干法刻蚀所述含氮化合物，将沟槽内的氧化硅表面的含氮化合物去除，所述氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物残留；步骤G，以所述含氮化合物残留为掩膜，通过刻蚀去除掉沟槽内的氧化硅表面的一部分；依次重复执行步骤E至步骤G，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度，每执行一次步骤F所述含氮化合物残留就进一步向沟槽内延伸，所述沟槽内的氧化硅包括底部氧化硅和侧壁氧化硅，所述侧壁氧化硅的厚度从沟槽顶部至沟槽底部逐渐增厚；步骤H，向所述沟槽内填入下层多晶硅；步骤I，通过湿氧氧化在所述下层多晶硅上形成隔离氧化硅；步骤J，去除所述沟槽内的含氮化合物；步骤K，在所述侧壁氧化硅表面再生长氧化硅；步骤L，在所述沟槽内形成隔离氧化硅上的上层多晶硅。