[发明专利]P面出光的薄膜LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710533784.8 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216511A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;袁根如 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种P面出光的薄膜LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括键合衬底；位于所述键合衬底上表面的键合层；以及位于所述键合层上表面的LED结构，所述LED结构包括一发光外延层及位于所述发光外延层表面的电极结构，其中，所述发光外延层包括位于所述键合层上表面的n‑GaN层，位于所述n‑GaN层上表面的量子阱层，及位于所述量子阱层上表面的p‑GaN层。通过本发明所述的P面出光的薄膜LED芯片及其制造方法，解决了现有垂直结构芯片由于采用激光剥离技术导致芯片制造成本高、良率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 发光外延层 薄膜LED 键合层 量子阱层 芯片 制造 垂直结构芯片 电极结构 激光剥离 芯片制造 良率 | ||
【主权项】：
1.一种P面出光的薄膜LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：a)提供一生长衬底；b)在所述生长衬底上依次形成外延缓冲层，及包括n‑GaN层、量子阱层及p‑GaN层的发光外延层；c)采用化学腐蚀工艺去除所述外延缓冲层，以使所述生长衬底与所述发光外延层剥离；d)提供一上表面形成有键合层的键合衬底，并将所述发光外延层通过键合层与所述键合衬底进行键合；e)在所述发光外延层表面制作电极结构。
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