[发明专利]基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710534425.4 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN107500243B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 刘秀博;王绍东;王志强;吴洪江 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 赵宝琴
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法,包括顺次键合的第一层硅基载体层、第二层硅基外框层、第三层硅基引线保护层及密封键合于第三层硅基引线保护层之上的第四层硅基盖板层,第一层硅基载体层之上设置有钼铜载体,钼铜载体之上设置有射频芯片,射频芯片通过引线键合与第二层硅基外框层实现信号互连,在第二层硅基外框层与第三层引线保护层上均设置有用于信号互连的硅通孔,第二层硅基外框层通过硅通孔与第三层硅基引线保护层实现电气互联,射频传输线从第三层硅基引线保护层引出。本发明解决了传统封装工艺复杂、生产效率不高、封装器件的体积和质量都比较大的问题,实现微波器件的可靠密封。
搜索关键词: 基于 硅通孔 结构 硅基微 系统 气密 封装 制备 方法
【主权项】:
1.基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构,其特征在于:包括顺次键合的第一层硅基载体层、第二层硅基外框层、第三层硅基引线保护层及密封键合于所述第三层硅基引线保护层之上的第四层硅基盖板层,所述第一层硅基载体层之上设置有钼铜载体,所述钼铜载体之上设置有射频芯片,所述射频芯片通过引线键合与所述第二层硅基外框层实现信号互连,在所述第二层硅基外框层与所述第三层引线保护层上均设置有用于信号互连的硅通孔,所述第二层硅基外框层通过所述硅通孔与所述第三层硅基引线保护层实现电气互联,射频传输线从所述第三层硅基引线保护层引出;所述射频传输线为两个对称设置于所述第三层硅基引线保护层两侧的与所述第三层硅基引线保护层表面平行的微带线。
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