[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，利用同一道光罩制程对第二金属层和半导体薄膜层进行蚀刻形成源漏极金属部、数据线和半导体层，而且利用同一道光罩制程对第二透明导电层和源漏极金属部进行蚀刻形成像素电极、源极和漏极，其中源极连接至数据线，像素电极直接与漏极接触，能确保像素电极与漏极之间良好连接，因此漏极无需设计成较大的面积，这样可以增加薄膜晶体管阵列基板中像素区域内的透光区域面积，有效地提高了液晶显示装置的开口率进而提高了穿透率。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底(10)上沉积第一金属层，利用第一道光罩制程对所述第一金属层进行蚀刻形成栅极(11a)和扫描线(11b)；连续沉积栅极绝缘层(12)、半导体薄膜层(13)和第二金属层(14)，其中所述栅极绝缘层(12)形成在所述衬底(10)上并覆盖所述栅极(11a)和所述扫描线(11b)，所述半导体薄膜层(13)形成在所述栅极绝缘层(12)上，所述第二金属层(14)形成在所述半导体薄膜层(13)上；利用第二道光罩制程对所述第二金属层(14)和所述半导体薄膜层(13)进行蚀刻，其中所述第二金属层(14)在被蚀刻后形成源漏极金属部(14d)和与源漏极金属部(14d)连接的数据线(14c)，所述半导体薄膜层(13)在被蚀刻后形成半导体层(13a)；沉积第一绝缘层(15)，所述第一绝缘层(15)覆盖所述源漏极金属部(14d)和所述数据线(14c)；在所述第一绝缘层(15)上沉积第一透明导电层(16)；利用第三道光罩制程对所述第一透明导电层(16)进行蚀刻形成公共电极(16b)和通孔(16a)，所述通孔(16a)对应所述源漏极金属部(14d)设置，露出覆盖在所述源漏极金属部(14d)上方的第一绝缘层(15)；沉积第二绝缘层(17)，所述第二绝缘层(17)覆盖所述公共电极(16b)，所述第二绝缘层(17)还填入所述通孔(16a)中并覆盖所述第一绝缘层(15)；利用第四道光罩制程对所述第二绝缘层(17)和所述第一绝缘层(15)进行蚀刻，在对应所述源漏极金属部(14d)的位置形成贯穿所述第二绝缘层(17)和所述第一绝缘层(15)的接触孔(17a)，通过所述接触孔(17a)露出所述源漏极金属部(14d)；在第二绝缘层(17)上沉积第二透明导电层(18)，所述第二透明导电层(18)填入所述接触孔(17a)中并覆盖所述源漏极金属部(14d)；利用第五道光罩制程对所述第二透明导电层(18)和所述源漏极金属部(14d)进行蚀刻，其中所述第二透明导电层(18)在被蚀刻后形成像素电极(18a)，所述源漏极金属部(14d)在被蚀刻后形成彼此分隔的源极(14a)和漏极(14b)，所述半导体层(13a)从所述源极(14a)和所述漏极(14b)之间露出,所述像素电极(18a)与所述漏极(14b)接触，所述源极(14a)连接至所述数据线(14c)。