[发明专利]双空腔结构的制备方法在审
| 申请号： | 201710534699.3 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109205549A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 代丹;夏长奉;董娟娟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双空腔结构的制备方法。制备方法，包括：在半导体衬底上刻蚀，形成第一沟槽阵列；第一沟槽阵列的顶部各自分离，底部相互联通形成第一空腔；在形成第一沟槽阵列的半导体衬底上生长第一外延层，使第一外延层覆盖第一沟槽阵列；在第一外延层上刻蚀，形成第二沟槽阵列；第二沟槽阵列顶部各自分离，底部相互联通形成第二空腔；在形成第二沟槽阵列的第一外延层上生长第二外延层；刻蚀第一外延层，形成联通第一空腔与第二空腔的直槽。通过上述方法形成的双空腔结构的第一外延层的表面平整，几乎无缺陷，后续还可以进行小线宽的无缺陷的光刻刻蚀工艺；结构稳固，在后续工艺中经历湿法工艺的高速甩干后，不会出现断裂或脱落现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽阵列 外延层 双空腔 刻蚀 联通 制备 第二空腔 第一空腔 衬底 半导体 表面平整 后续工艺 结构稳固 湿法工艺 生长 甩干 小线 直槽 断裂 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种双空腔结构的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上刻蚀，形成第一沟槽阵列；所述第一沟槽阵列的顶部各自分离，底部相互联通形成第一空腔；在形成所述第一沟槽阵列的半导体衬底上生长第一外延层，使所述第一外延层覆盖所述第一沟槽阵列；在第一外延层上刻蚀，形成第二沟槽阵列；所述第二沟槽阵列顶部各自分离，底部相互联通形成第二空腔；在形成所述第二沟槽阵列的所述第一外延层上生长第二外延层；刻蚀所述第一外延层、第二外延层，形成与所述第一空腔联通的直槽。
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