[发明专利]一种高储能密度微晶玻璃电介质材料的制备工艺

摘要

本发明公开了一种高储能密度微晶玻璃电介质材料的制备工艺，涉及电子材料领域，包括以下步骤1)先将原料混合研磨成粉料；2)再将粉料熔炼成熔融液；3)将熔融液浇注至模具中，浇注完毕后再进行三阶段退火处理，切割处理后得玻璃材料；4)对所述玻璃材料进行受控晶化处理；5)最后将半成品经丝网印刷涂覆粘结性能和导电性能良好的中温银浆料，在一定温度下烧结固化形成金属银电极后即可。该方法所制备的电介质材料的高介电常数与高击穿场强兼优，从而解决了目前微晶玻璃电介质材料制备中所存在的不足和缺陷。

主权项

一种高储能密度微晶玻璃电介质材料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)将原料混合通过行星球磨机研磨，得粉料；所述原料按重量份计包括以下成分：SiO225‑45份、BaCO3 20‑30份、TiO2 10‑20份、SrCO35‑15份、H3BO35‑15份、Nb2O52‑8份、MnO2 1‑10份和BaF2 1‑5份；(2)将所述粉料输送至电炉中熔炼成熔融液，熔炼温度为1380‑1520℃；(3)将所述熔融液浇注至预热模具中，预热温度为570‑610℃，浇注完毕后再进行三阶段退火处理，切割处理后得玻璃材料；(4)对所述玻璃材料进行受控晶化处理，具体是先在760‑780℃保温1‑2h成核，然后在860‑880℃保温1‑2h，得微晶玻璃电介质材料半成品；(5)将所述微晶玻璃电介质材料半成品经过丝网印刷涂覆粘结性能和导电性能良好的中温银浆料，在560‑580℃温度下烧结固化形成金属银电极后即可。