[发明专利]一种石墨烯掺杂的二氧化铱基多孔电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710536518.0 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN107359330B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 邵艳群;张帅;黄善锋;王艳鸿;何建 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/583;H01G11/26;H01G11/32;H01G11/46
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊;林捷
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明属于电极材料技术领域,具体涉及一种石墨烯掺杂的IrO2基多孔电极及其制备方法。本发明将氯铱酸与石墨烯进行负载,然后再将其与非贵金属氧化物复合,制得一种复合型电极材料。本发明通过结合石墨烯的高导电性、贵金属氧化物的导电性和活性以及非贵金属氧化物材料独特的外层电子结构,制备一种新型高比电容、高电解质选择性的多孔金属氧化物/石墨烯复合电极。
搜索关键词: 一种 石墨 掺杂 氧化 基多 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
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