[发明专利]复合发光层、QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710536591.8 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216566B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 梁柱荣;曹蔚然;刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 复合发光层、QLED器件及其制备方法。本发明提供了一种复合发光层，所述复合发光层为三维石墨烯固定的量子点发光层，包括多孔三维网状材料和固定在所述多孔三维网状材料上的量子点，其中，所述多孔三维网状材料中含有三维石墨烯和/或三维氧化石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 复合发光层 多孔三维 网状材料 三维 量子点 石墨烯 氧化石墨烯 发光层 固定的 制备 | ||
【主权项】：
1.一种复合发光层，其特征在于，所述复合发光层为三维石墨烯固定的量子点发光层，包括多孔三维网状材料和固定在所述多孔三维网状材料上的量子点，其中，所述多孔三维网状材料中含有三维氧化石墨烯，所述三维氧化石墨烯中含有富电子官能团，且所述富电子官能团与所述量子点通过静电吸附结合的同时，所述富电子官能团与所述量子点形成化学键结合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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