[发明专利]一种芯片封装方法有效
| 申请号： | 201710536780.5 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107195555B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 齐永莲;曲连杰;贵炳强;陈敏琪;刘韬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申健<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种芯片封装方法，涉及半导体技术领域，可减少对芯片的损伤，且使刻蚀更加容易进行，刻蚀开封过程容易控制。一种芯片封装方法，包括：在设置有芯片的基底上，在所述芯片一侧进行塑封，形成封装层；其中，所述芯片远离所述基底的表面与覆盖所述芯片的封装层之间具有空隙；对所述封装层进行开封，露出所述芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：/n在设置有芯片的基底上，在所述芯片一侧进行塑封，形成封装层；其中，所述芯片远离所述基底的表面与覆盖所述芯片的封装层之间具有空隙，包括：/n在设置有芯片的基底上，在芯片上方形成热收缩层；/n在所述芯片一侧进行塑封，形成封装层，所述封装层覆盖所述热收缩层；/n加热所述热收缩层，使所述芯片远离所述基底的表面与覆盖所述芯片的封装层之间具有空隙；/n对所述封装层进行开封，露出所述芯片之后，所述封装方法还包括：去除所述热收缩层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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