[发明专利]一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法，包括以下步骤1)将待处理的晶体硅片置于扩散炉中，升温通入携磷源氮气、干氧和大氮进行恒定源扩散；2)停止通入携磷源氮气，升温通入干氧和大氮进行推进；3)通入携磷源氮气及干氧，进行低温扩散；4)停止通入携磷源氮气，恒温推进；5)升温通入携磷源氮气和干氧进行恒定源扩散；6)停止通入携磷源氮气，进行有氧限定源扩散；7)降温通入携磷源氮气、干氧及大氮，进行降温扩散；8)降温出舟即可。该种磷扩散方法简单易行，应用广泛，采用该种方法能有效提高硅片光电转换效率，改善太阳电池的电性能，适于推广应用。

主权项

一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将待处理的晶体硅片置于扩散炉中，先以10‑20℃/min的升温速率升温至380‑420℃，保持15‑25min，再以15‑25℃/min的升温速率升温至740‑780℃，并通入携磷源氮气、干氧和大氮进行恒定源扩散，扩散时间为12‑16min，控制炉内压力为80‑120MPa；(2)停止通入携磷源氮气，以4‑8℃/min的升温速率升温至880‑920℃，同时通入干氧和大氮进行推进，控制炉内压力为100‑150MPa；(3)保持步骤(2)中的温度、压力和大氮流量不变，同时通入携磷源氮气及干氧，进行低温扩散，扩散时间为15‑25min，控制炉内压力为80‑120MPa；(4)待炉内温度稳定在780‑820℃时，停止通入携磷源氮气，恒温推进10‑20min，控制炉内压力为80‑120MPa；(5)保持步骤(4)中的压力不变，将炉内温度以4‑8℃/min的升温速率升高至860‑880℃，同时通入携磷源氮气和干氧进行恒定源扩散，扩散时间为20‑30min；(6)保持步骤(5)中的扩散炉温度、压力和干氧流量不变，停止通入携磷源氮气，进行有氧限定源扩散，扩散时间25‑35min；(7)控制炉内压力在60‑80MPa，将扩散炉内温度降低到680‑720℃，同时通入携磷源氮气、干氧及大氮，进行降温扩散，在降温的同时进行退火吸杂，且降温速率为6‑10℃/min，扩散时间为15‑25min；(8)待炉内温度温低至520‑540℃，出舟完成扩散过程。