[发明专利]图案化方法

摘要

本发明公开一种图案化方法，其利用存储阵列区内及周边区内具有不同的图案密度，所产生的蚀刻负载效应，而能够在各向异性蚀刻存储阵列区内的第一硬掩模层时，周边区内的第一硬掩模层不需覆盖住。

主权项

1.一种图案化方法，包含：提供一基底，其上设有一底层、一第一硬掩模层，设于该底层上、一第二硬掩模层，及一轴心形成层，设于该第二硬掩模层上；进行一光刻及蚀刻制作工艺，在一存储阵列区内的该第二硬掩模层上，将该轴心形成层图案化成多个轴心图案，具有一第一间距，并将该轴心形成层从一周边区去除；在该存储阵列区内的该多个轴心图案上及该周边区内的该第二硬掩模层上，沉积一间隙壁材料层；各向异性蚀刻该间隙壁材料层，如此在该多个轴心图案的侧壁上形成多个间隙壁；去除该多个轴心图案，于该存储阵列区内留下该多个间隙壁，具有一第二间距；以该多个间隙壁做为一蚀刻掩模，各向异性蚀刻该存储阵列区内的该第二硬掩模层及该周边区内的该第二硬掩模层，如此于该存储阵列区内形成一图案化第二硬掩模层；以及以该图案化的第二硬掩模层做为一蚀刻硬掩模，各向异性蚀刻该存储阵列区内的该第一硬掩模层及该周边区内的该第一硬掩模层，如此于该存储阵列区内形成一图案化的第一硬掩模层。